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湖州联想科技创新中心设计方案已经通过专家论证

发布时间:2018-08-08 13:00:00阅读次数:235

      本工程位于湖州市经济技术开发区;基地东侧为东浜路,南侧为西塞山路,西侧为三环西路,北侧为规划河流。工程总建筑面积约224317m2,基地分为A、B南北两个组团。A组团工程用地面积42880,地上七栋17层办公楼,整体设一层地下室与北侧B组团地下室相接。B组团总用地面积39505平方米,七栋17层高层住宅、六栋10层小高层住宅,整体设地下1层,南侧与A组团地下室相接。工程桩均采用钻孔灌注桩基础。

      本工程±0相当于黄海高程5.500,场地现状绝对标高2.500计算,即相对标高-3.000,垫层100mm;底板垫层底标高-5.100,承台底标高为-5.600.则基坑开挖深度2.7~3.3米,电梯井高差2.2米;

     根据外业勘探、室内土工试验成果,结合场地土成因类型及附近勘察资料分析,场地勘探深度范围内岩土层可划分为5个工程地质层,地基主要岩土层的特征如下表:

 


      根据基坑深度及周围环境情况确定:基坑安全等级为二级,重要性系数为1.0。


     主要采用土钉墙支护方案。基坑安全等级为三级。东侧局部采用钻孔灌注桩+一道混凝土支撑,安全等级二级。设计使用期限12个月。

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